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国内光刻技术与国外差距多大 中科院院士坦言
2019-12-01 14:47:45  阅读:2808  

说到光刻技术,asml绝对是世界上最大的公司之一。本发明提供的光刻机已经可以完成7纳米的制作工作和更精确的工艺。目前,我国的光刻机仍处于90纳米工艺水平。即使可以实现28纳米工艺,也可以通过国外的光刻机来实现。那么国内光刻技术和国外光刻技术的差距有多大?

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在2019年中国集成电路设计大会上,中国科学院院士刘明坦言,国内光刻技术与国外光刻技术之间存在约15至20年的差距。刘明院士说,光刻技术是目前集成电路中与国外差距最大的部分。

当然,我国在其他方面也取得了良好的成绩,如极紫外光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等。

编者按:在过去的两年里,中国的国内力量已经在某些领域迎头赶上。当然,中国在集成电路领域仍然落后,尤其是在生产过程中。作为集成电路中的一个重要环节,光刻机将成为未来中国需要攻克的关键部件。

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